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N沟道增强型MOSFET TDM3408
描述
TDM3408采用先进的沟槽技术
提供出色的RDS（ON）和低栅极电荷。 这个
该器件适合用作负载开关或PWM
应用。
一般特征
RDS（ON）<17.5mΩ@ VGS = 4.5V
RDS（ON）<10.8mΩ@ VGS = 10V
高功率和电流处理能力
ESD保护
可提供无铅产品
表面贴装封装
应用
PWM应用
负载开关
电源管理
